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VBFB17R02S
VBFB17R02S
- 描述
- TO251；N—Channel沟道,700V；2A；RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型MOSFET，适用于各种中低压应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB17R02S
- 商品编号
- C42412756
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低栅极电荷 Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC