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VBM17R05S
VBM17R05S
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,700V；5A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术N型MOSFET，适用于电源逆变器、汽车电子系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM17R05S
- 商品编号
- C42412757
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低栅极电荷 Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC