VBP17R47S
VBP17R47S
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,700V；46A；RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应管，适用于高功率电源模块、电力电子设备等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP17R47S
- 商品编号
- C42412765
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 427W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.892nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 244pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低trr、Qrr和IRRM
- 低品质因数(FOM):Ron x Qg
- 低输入电容\left(Ciss\right)
- 因Qrr降低而具有低开关损耗
- 超低栅极电荷\left(Qg\right)
- 雪崩能量额定(UIS)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-发光二极管(LED)-消费电子和计算机-ATX电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-采用以下拓扑的应用-LLC-移相桥(ZVS)-三电平逆变器-AC/DC桥