- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBL185R04
VBL185R04
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,850V；4.1A；RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N沟道功率MOSFET，适用于电源模块、风能转换系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL185R04
- 商品编号
- C42412782
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC