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VBP15R20S
N沟道 耐压:500V 电流:20A
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,500V；20A；RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术高性能的单N沟道MOSFET，适用于工业电源、电动汽车充电站等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP15R20S
- 商品编号
- C42412802
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
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