VBE19R07S

VBE19R07S

描述

TO252；N—Channel沟道,900V；7A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术的单通道N沟道功率MOSFET，适用于多种电子领域和模块。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

VBE19R07S

商品编号

C42412790

商品封装

TO-252​

包装方式

编带

商品毛重

0.437克(g)