VBP19R09S
VBP19R09S
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,900V；9A；RDS(ON)=600mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型场效应晶体管，适用于高压直流（HVDC）系统、医疗设备电源等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP19R09S
- 商品编号
- C42412791
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和导通损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定(UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源(SMPS)
- 功率因数校正电源(PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明