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场效应管(MOSFET)
VBP19R09S
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VBP19R09S
VBP19R09S
描述
TO247;N—Channel沟道,900V;9A;RDS(ON)=600mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型场效应晶体管,适用于高压直流(HVDC)系统、医疗设备电源等领域和模块。
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBP19R09S
商品编号
C42412791
商品封装
TO-247AC
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)
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商品参数
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参数完善中
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