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VBMB16R20
VBMB16R20
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,600V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术高电压N沟道MOSFET，适用于电源转换器、工业控制设备等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB16R20
- 商品编号
- C42412800
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 降低 trr、Qrr 和 IRRM
- 低品质因数 (FOM) R\text on x Q\text g
- 低输入电容 (Ciss)
- 因 Qrr 降低,开关损耗低
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机-ATX 电源-工业-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)-开关模式电源 (SMPS)