- 引脚图
- 焊盘图
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VBN195R03
VBN195R03
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,950V；3.6A；RDS(ON)=5400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高电压N沟道MOSFET，采用Plannar技术，适用于高电压电源开关、工业控制系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBN195R03
- 商品编号
- C42412798
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业应用