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VBN195R03
VBN195R03
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,950V；3.6A；RDS(ON)=5400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高电压N沟道MOSFET，采用Plannar技术，适用于高电压电源开关、工业控制系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBN195R03
- 商品编号
- C42412798
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业应用