VBN195R03

VBN195R03

描述

TO262；N—Channel沟道,950V；3.6A；RDS(ON)=5400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高电压N沟道MOSFET，采用Plannar技术，适用于高电压电源开关、工业控制系统等领域和模块。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

VBN195R03

商品编号

C42412798

商品封装

TO-262​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)