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VBM19R07S
VBM19R07S
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,900V；7A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一种采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道功率MOSFET，适用于电源变换器、电源管理模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM19R07S
- 商品编号
- C42412788
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 隔离式中心安装孔
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域