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VBMB15R20S
VBMB15R20S
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,500V；20A；RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术的单极N通道MOSFE，适用于高压电源管理、工业电源系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB15R20S
- 商品编号
- C42412799
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和导通损耗
- 低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 服务器和电信电源
- 功率因数校正电源(PFC)