- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBJ165R01
VBJ165R01
- 描述
- SOT223；N—Channel沟道,650V；1.2A；RDS(ON)=8400mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；是一款单N场效应管，采用Plannar技术，适用于各种应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBJ165R01
- 商品编号
- C42412827
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定
- 提供卷带包装
- 快速开关
- 易于并联
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC