VBP165R18
VBP165R18
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=360mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款单N型MOSFET，采用Plannar技术，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP165R18
- 商品编号
- C42412829
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 降低反向恢复时间(trr)、反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复峰值电流(IRRM)
- 低品质因数(FOM)导通电阻(R\text on)×栅极电荷(Q\text g)
- 低输入电容(Ciss)
- 因降低Qrr而减少开关损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 有雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机领域-ATX电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关电源(SMPS)