- 引脚图
- 焊盘图
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VBE15R14S
VBE15R14S
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,500V；14.5A；RDS(ON)=243mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款单N型场效应晶体管产品，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于需要高电压、高电流和高效率的应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE15R14S
- 商品编号
- C42412833
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 243mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) 导通电阻 (Ron) x 栅极电荷 (Qg)
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
-计算机领域-个人电脑银色机箱/ATX 电源