VBP18R11S
VBP18R11S
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,800V；11A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP18R11S
- 商品编号
- C42412856
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) R\text on x Q\text g
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明