- 引脚图
- 焊盘图
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VBL7603
VBL7603
- 描述
- TO263-7；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=1.63mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；是一款采用Trench 技术双N沟道场效应晶体管，适用于各种领域的功率控制和开关应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL7603
- 商品编号
- C42412851
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.772克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.63mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.55nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域