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VBGJ1108N
VBGJ1108N
- 描述
- SOT223；N—Channel沟道,100V；7A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SGT技术单个N型MOSFET，可用于各种需要低功耗和高性能的电源控制和驱动应用中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGJ1108N
- 商品编号
- C42412853
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- SOT-223封装
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交直流开关电源
- 照明
- 同步整流
- 直流-直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流-交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器