- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBGJ1102N
VBGJ1102N
- 描述
- SOT223；N—Channel沟道,100V；10A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SGT技术单N沟道场效应管，适用于需要紧凑封装、低功耗和可靠性能的领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGJ1102N
- 商品编号
- C42412855
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器