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VBGJ1102N
VBGJ1102N
- 描述
- SOT223；N—Channel沟道,100V；10A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SGT技术单N沟道场效应管，适用于需要紧凑封装、低功耗和可靠性能的领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGJ1102N
- 商品编号
- C42412855
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器