- 引脚图
- 焊盘图
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VBL7401
VBL7401
- 描述
- TO263-7；N—Channel沟道,40V；350A；RDS(ON)=0.84mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；是一款采用Trench技术双N型效应晶体管，适用于大功率电路控制和高电压应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL7401
- 商品编号
- C42412852
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.772克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.84mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11.163nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)