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VBM165R11S
N沟道 耐压:650V 电流:11A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,650V；11A；RDS(ON)=420mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道MOSFET，适用于工业电源模块、电动汽车控制等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM165R11S
- 商品编号
- C42412848
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
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