- 引脚图
- 焊盘图
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VBL2303
VBL2303
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench技术，用于多种领域的电源、电机驱动和电源管理模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL2303
- 商品编号
- C42412844
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 425W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 205nC | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.61nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- P沟道MOSFET
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能 (光伏逆变器)