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VBP165R47S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBP165R47S

N沟道 耐压:650V 电流:47A

描述
TO247;N—Channel沟道,700V;47A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款高性能单极性N型功率半导体器件,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于各种电力控制和转换应用。
商品型号
VBP165R47S
商品编号
C42412831
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
6.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)415W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)273nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
  • 低输入电容(Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定(UIS)
  • 符合RoHS标准

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF