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VBL15R18S
VBL15R18S
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,500V；18A；RDS(ON)=192mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth2~4V；是一款高性能的单路N沟道场效应管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于高功率电子设备和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL15R18S
- 商品编号
- C42412832
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
- 符合RoHS标准
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)