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VBL15R18S
VBL15R18S
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,500V；18A；RDS(ON)=192mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth2~4V；是一款高性能的单路N沟道场效应管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于高功率电子设备和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL15R18S
- 商品编号
- C42412832
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 计算领域
- 个人电脑银色机箱 / ATX 电源
- N 沟道 MOSFET