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VBMB19R20S
VBMB19R20S
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,950V；20A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，适用于各种工业和电子应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB19R20S
- 商品编号
- C42412828
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数(FOM)Ron × Qg
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定(UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)