VBPB16R15S
VBPB16R15S
- 描述
- TO3P；N—Channel沟道,600V；15A；RDS(ON)=230mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBPB16R15S
- 商品编号
- C42412821
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能(光伏逆变器)