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VBFB18R02S
VBFB18R02S
- 描述
- TO251；N—Channel沟道,800V；2.8A；RDS(ON)=2380mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款单N沟道MOSFET功率器件，采用SJ_Multi-EPI技术，在不同领域和模块中广泛应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB18R02S
- 商品编号
- C42412826
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数(FOM)R\texton x Q\textg
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定(UIS)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)