VBFB18R02S

VBFB18R02S

描述

TO251；N—Channel沟道,800V；2.8A；RDS(ON)=2380mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款单N沟道MOSFET功率器件，采用SJ_Multi-EPI技术，在不同领域和模块中广泛应用。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

VBFB18R02S

商品编号

C42412826

商品封装

TO-251​

包装方式

管装

商品毛重

0.677克(g)