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VBM18R05S
VBM18R05S
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,800V；5A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM18R05S
- 商品编号
- C42412824
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 动态电压变化率(dV/dt)额定值
- 重复雪崩额定
- 隔离式中心安装孔
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 服务器和电信电源
- 功率因数校正电源（PFC）