- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM18R05S
VBM18R05S
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,800V；5A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM18R05S
- 商品编号
- C42412824
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 动态电压变化率(dV/dt)额定值
- 重复雪崩额定
- 隔离式中心安装孔
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 服务器和电信电源
- 功率因数校正电源（PFC）