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VBM15R30S
VBM15R30S
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,500V；30A；RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款高压N型MOSFET，适用于Plannar技术，适用于各种中功率应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM15R30S
- 商品编号
- C42412823
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM):导通电阻 (Ron) × 栅极电荷 (Qg)
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
-硬开关拓扑-功率因数校正电源 (PFC)-开关模式电源 (SMPS)-计算机领域-个人电脑银盒/ATX 电源-照明-两级 LED 照明