- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBE19R02S
VBE19R02S
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,900V；2A；RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型的功率场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术制造，适用于多种电子领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE19R02S
- 商品编号
- C42412822
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-隔离式中心安装孔-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度放电 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)