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VBE19R02S
VBE19R02S
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,900V；2A；RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型的功率场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术制造，适用于多种电子领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE19R02S
- 商品编号
- C42412822
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-隔离式中心安装孔-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度放电 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)