- 引脚图
- 焊盘图
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VBP112MC30
VBP112MC30
- 描述
- SIC；TO247；N—Channel沟道,1200V；30A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V；Vth=2.5~4.5V；是一种单N型碳化硅功率MOSFET器件，采用SiC-S技术，适用于电力电子转换器、汽车电子模块等电子领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP112MC30
- 商品编号
- C42412811
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) R_on × Q_g
- 低输入电容 (C_iss)
- 降低的开关与导通损耗
- 超低栅极电荷 (Q_g)
- 额定雪崩能量 (UIS)
应用领域
- 服务器与电信电源
- 开关模式电源
- 功率因数校正电源
- DC/DC转换器