VBP112MC30
VBP112MC30
- 描述
- SIC;TO247;N—Channel沟道,1200V;30A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V;Vth=2.5~4.5V;是一种单N型碳化硅功率MOSFET器件,采用SiC-S技术,适用于电力电子转换器、汽车电子模块等电子领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP112MC30
- 商品编号
- C42412811
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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