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VBP112MC30实物图
  • VBP112MC30商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBP112MC30

VBP112MC30

描述
SIC;TO247;N—Channel沟道,1200V;30A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V;Vth=2.5~4.5V;是一种单N型碳化硅功率MOSFET器件,采用SiC-S技术,适用于电力电子转换器、汽车电子模块等电子领域。
商品型号
VBP112MC30
商品编号
C42412811
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

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参数完善中

数据手册PDF