- 引脚图
- 焊盘图
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VBM19R05S
VBM19R05S
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,900V；5A；RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种驱动电路、中小功率的应用场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM19R05S
- 商品编号
- C42412813
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-隔离式中心安装孔-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域