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VBM19R05S
VBM19R05S
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,900V；5A；RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于多种驱动电路、中小功率的应用场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM19R05S
- 商品编号
- C42412813
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-隔离式中心安装孔-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域