VBP117MC06
VBP117MC06
- 描述
- SIC；TO247；N—Channel沟道,1700V；6A；RDS(ON)=600mΩ@VGS=18V,VGS=-8/22V；Vth=2~4.5V；是一款采用SiC技术单路N沟道MOSFET，适用于太阳能逆变器、电动车充电桩等多种领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP117MC06
- 商品编号
- C42412812
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ |
商品特性
- 低优值系数 R(on) × Q(g)
- 低输入电容 C(iss)
- 降低的开关与导通损耗
- 超低栅极电荷 Q(g)
- 雪崩能量额定值（UIS）
应用领域
- 服务器与电信电源
- 开关模式电源
- 功率因数校正电源
- DC/DC转换器