VBP112MC60-4L
VBP112MC60-4L
- 描述
- SIC;TO247；N—Channel沟道,1200V；60A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=-10/+22V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SiC-S技术单N型MOSFET，适用于电力转换器、太阳能和风能应用等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP112MC60-4L
- 商品编号
- C42412809
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 320W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 101nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 123pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ |
商品特性
- 低品质因数（FOM）Ron × Qg
- 低输入电容（Ciss）
- 降低的开关和导通损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 额定雪崩能量（UIS）
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- DC/DC转换器