VBP112MC60-4L
VBP112MC60-4L
- 描述
- SIC;TO247；N—Channel沟道,1200V；60A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=-10/+22V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SiC-S技术单N型MOSFET，适用于电力转换器、太阳能和风能应用等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP112MC60-4L
- 商品编号
- C42412809
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.072克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数（FOM）Ron × Qg
- 低输入电容（Ciss）
- 降低的开关和导通损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 额定雪崩能量（UIS）
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- DC/DC转换器