VBP165I80
VBP165I80
- 描述
- IGBT；TO247；650V；160A；VCEsat_1.8V@VGE=15V；是一款IGBT+FRD配置的器件，采用FS技术，适用于电力电子模块、电力传输与配电等各种电子领域和应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP165I80
- 商品编号
- C42412805
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 510W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 196nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 8.4nF | |
| 输出电容(Coes) | 230pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 80pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 80ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 195ns | |
| 导通损耗(Eon) | 0.51uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 0.18uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 90ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 极低的饱和压降
- 低关断损耗
- 高速开关
- 最高结温 175°C
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定值（UIS）
应用领域
- 服务器与电信电源
- 高强度放电灯镇流器
- ATX电源
- 焊接设备
- 太阳能光伏逆变器