VBP112MC100
VBP112MC100
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- 描述
- SIC；TO247；N—Channel沟道,1200V；60A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SiC技术金属氧化物半导体场效应晶体管，适用于电力转换模块、电力电网应用等多种领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP112MC100
- 商品编号
- C42412808
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.732克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低优值系数 R(on)×Q(g)
- 低输入电容 C(iss)
- 降低的开关与导通损耗
- 超低栅极电荷 Q(g)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
- 服务器与电信电源供应器
- 开关模式电源供应器
- 功率因数校正电源供应器
- 直流/直流转换器