VBP19R47S
VBP19R47S
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,900V；47A；RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型MOSFET，适用于电力电子领域、工业自动化等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP19R47S
- 商品编号
- C42412795
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度放电 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)