VBM19R09S

VBM19R09S

描述

TO220；N—Channel沟道,900V；9A；RDS(ON)=600mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应晶体管，适用于工业电源模块、电动汽车驱动系统等领域和模块。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

VBM19R09S

商品编号

C42412792

商品封装

TO-220AB​

包装方式

管装

商品毛重

2.718克(g)