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VBM19R09S
VBM19R09S
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,900V；9A；RDS(ON)=600mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应晶体管，适用于工业电源模块、电动汽车驱动系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM19R09S
- 商品编号
- C42412792
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明