- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBMB18R25S
VBMB18R25S
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,800V；25A；RDS(ON)=138mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型MOSFET，适用于电动车电机驱动器、工业高压电源系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB18R25S
- 商品编号
- C42412780
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 138mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数(FOM)R\text on x Q\text g
- 低输入电容\left(Ciss\right)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷\left(Qg\right)
- 雪崩能量额定(UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光镇流器照明-工业领域