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VBMB17R20S
VBMB17R20S
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,700V；20A；RDS(ON)=210mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道MOSFE，适用于电源逆变器、新能源汽车充电桩等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB17R20S
- 商品编号
- C42412764
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤可选
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域