- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM165R22
VBM165R22
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,650V；22A；RDS(ON)=280mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；是一款采用Plannar技术单N沟道场效应晶体管，适用于电源模块、电动车充电器等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM165R22
- 商品编号
- C42412753
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.938nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 169pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
-优化设计-低单位面积导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低电容性开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值(UIS)-优化效率和性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关
应用领域
-消费电子-显示器(LCD 或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源-工业领域-焊接、感应加热、电机驱动-电池充电器