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VBM165R22
VBM165R22
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,650V；22A；RDS(ON)=280mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；是一款采用Plannar技术单N沟道场效应晶体管，适用于电源模块、电动车充电器等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM165R22
- 商品编号
- C42412753
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值(UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关
应用领域
- 消费电子-显示器(LCD或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源(SMPS)-工业领域-焊接、感应加热、电机驱动-电池充电器