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VBL165R22
VBL165R22
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,650V；22A；RDS(ON)=150mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N沟道MOSFET，电源模块、汽车电子等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL165R22
- 商品编号
- C42412752
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 降低反向恢复时间 trr、反向恢复电荷 Qrr 和反向恢复峰值电流 IRRM
- 低品质因数 (FOM) R\text on x Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 因 Qrr 降低而具有低开关损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机-ATX 电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)-开关模式电源 (SMPS)