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VBE17R02S
VBE17R02S
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术的单N沟道场效应管，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE17R02S
- 商品编号
- C42412755
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低栅极电荷((Qg)),驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC