温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM165R07
VBM165R07
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N场效应管，适用于各种需要高电压和电流承受能力的电路应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM165R07
- 商品编号
- C42412751
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域