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VBFB165R02S
VBFB165R02S
- 描述
- TO251；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=2300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道功率场效应晶体管，应用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBFB165R02S
- 商品编号
- C42412742
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV RMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 槽至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 有无铅(Pb)版本
- 符合 RoHS 标准