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VBE16R05S
VBE16R05S
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,600V；5A；RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应晶体管，适用于多种电力电子应用场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE16R05S
- 商品编号
- C42412731
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低栅极电荷 Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域