- 引脚图
- 焊盘图
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VBE16R02S
VBE16R02S
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,600V；2A；RDS(ON)=2300mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术的单N沟道场效应晶体管，适用于一般功率电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE16R02S
- 商品编号
- C42412734
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV\textRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅(Pb)版本
- 符合 RoHS 标准