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VBE16R02S
VBE16R02S
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,600V；2A；RDS(ON)=2300mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术的单N沟道场效应晶体管，适用于一般功率电子应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE16R02S
- 商品编号
- C42412734
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV RMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 有无铅（Pb）版本
- 符合 RoHS 标准