- 引脚图
- 焊盘图
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VBL16R02
VBL16R02
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,600V；2A；RDS(ON)=3500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N沟道MOSFET器件，适用于低功耗电源管理、汽车电子等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL16R02
- 商品编号
- C42412708
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 隔离式中心安装孔
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC