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VBE16R04
耐压:600V 电流:4A
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,600V；4A；RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N型场效应晶体，适用于各种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE16R04
- 商品编号
- C42412711
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 降低栅极驱动要求
- 增强30 V VGS额定值
- 降低Ciss、Coss、Crss
- 极高频操作
- 重复雪崩额定
- 符合RoHS指令2002/95/EC