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VBM16R02
N沟道 耐压:600V 电流:1.3A
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- 描述
- TO220；N—Channel沟道,600V；2A；RDS(ON)=4400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N沟道，适用于低功耗电子设备、自动化控制等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM16R02
- 商品编号
- C42412714
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
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