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VBE16R01
N沟道 耐压:600V 电流:1A
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,600V；1A；RDS(ON)=8000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术的单N型半导体器件，适用各种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE16R01
- 商品编号
- C42412710
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.359克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 提供卷带包装
- 快速开关
- 易于并联
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 消费电子
- 显示器（LCD 或等离子电视）
- 服务器和电信电源 - 开关电源（SMPS）
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 功率因数校正（PFC）